非晶N：GeSb薄膜的光致晶化及其相干声子谱表征

• 作者: 文婷 李忠谕 翟继卫 胡益丰 赖天树
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 超快光谱 光致相变 相干声子 N:GeSb薄膜 抽运-探测
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 29-32,37
• 页数: 5页
• 分类号: O436
• 字数: 2269字
• 语种: 中文

摘要

利用对微结构变化非常灵敏的相干声子光谱技术研究了非晶N：Ge S b薄膜的光致相变特征。发现当激光辐照能流达到某个阈值时，出现了一个新的声子模，表明相变的发生。同时，退火晶化的N：Ge S b薄膜也出现此新的声子模，表明激光照射的确导致了薄膜的晶化。相干光学声子谱的抽运能量密度依赖实验结果表明光致晶化的N：Ge S b薄膜的相干光学声子的寿命和频率均随抽运能量密度增加而减小，与晶体中的依赖关系一致。结果表明N：Ge S b薄膜的光致晶化质量较好，具有相变光存储应用潜力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟继卫	同济大学功能材料研究所	35	241	9.0	13.0
2	胡益丰	同济大学功能材料研究所	1	0	0.0	0.0