单器件时钟负载限制竞争RAM锁存器设计

• 作者: 刘黎 张钢刚 李夏禹 李涛 王源 贾嵩
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: RAM型锁存器 高速低功耗 低时钟负载 竞争约束
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 685-689
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.107

摘要

提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾.与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,而且能降低短路功耗.此外,新结构中时钟负载只有一个MOS管,能有效降低时钟功耗.Hspice仿真结果表明,新的RAM n-锁存器和p-锁存器速度分别提高12.8％和25.5％,功耗延迟积分别降低19.8％和26.9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张钢刚	北京大学微纳电子学系教育部微电子器件和电路重点实验室	9	16	3.0	3.0