紫光对外延掺锰铁酸铋薄膜物性的影响

• 作者: 刘保亭 姜庆华 彭增伟 朱慧娟 王晋峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶-凝胶 外延BiFe0.95Mn0.05O3薄膜 漏电流密度
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 898-902
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 2682字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶的方法在(001)取向的SrRuO3/SrTiO3 (SRO/STO)异质结上制备了外延BiFen95 Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并以氧化铟锡(ITO)作为上电极构架了ITO/BFMO/SRO型电容器.研究表明,BFMO薄膜为良好的外延生长,当波长为404 nm的紫光入射到电容器表面,产生光电导,漏电流密度变大;测试电压为5V时,无光和光照时的漏电流密度分别为2.92 mA/cm2和10.10 mA/cm2.通过对电流密度的拟合发现:欧姆传导为外延ITO/BFMO/SRO电容器的主要漏电机制,并且光照没有改变电容器的导电机制.在紫光照射下,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生光生载流子的缘故.由于光辐射的作用,外延ITO/BFMO/SRO电容器的电容增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	朱慧娟	河北大学物理科学与技术学院	4	7	1.0	2.0
3	彭增伟	华北电力大学科技学院	7	16	3.0	3.0
7	王晋峰	中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所	6	46	2.0	6.0
8	姜庆华	唐山市职业技术学院机械工程系	1	1	1.0	1.0