微电子光致抗蚀剂的发展及应用

• 作者: 刘敬成 刘晓亚 李虎 穆启道 魏玮
• 来源期刊: 化学进展
• 学科: 化学
• 关键词: 光致抗蚀剂 G线 Ⅰ线 深紫外 极紫外 电子束 纳米压印 嵌段共聚物自组装
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 1867-1888
• 页数: 22页
• 分类号: O63|TQ32
• 语种: 中文
• DOI: 10.7536/PC140729

摘要

光致抗蚀剂,又称光刻胶,是微电子工业中制作大规模和超大规模集成电路不可或缺的核心材料,因其在国民经济和国防建设中具有战略地位而备受研究者关注.本文梳理了光致抗蚀剂从早期的聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-叠氮化合物、近紫外G线(436-nm)和Ⅰ线(365-nm)酚醛树脂-重氮萘醌类光致抗蚀剂,到深紫外(248-nm和193-nm)、真空紫外(157-nm)光致抗蚀剂,再到极紫外(13.5-nm)、电子束、纳米压印、嵌段共聚物自组装、扫描探针等下一代光刻技术用光致抗蚀剂的发展脉络,综述了其研究进展.重点对深紫外化学增幅型光致抗蚀剂体系进行了总结,包括主体成膜树脂、光产酸剂以及溶解抑制剂、碱性化合物等添加剂,并介绍了下一代光刻技术用光致抗蚀剂的最新研究成果.最后对光致抗蚀剂未来的发展前景和方向进行了展望.