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一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
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摘要：
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形核速率
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主办单位：
广东省对外科技交流中心
出版周期：
月刊
ISSN：
1008-6609
CN：
44-1606/TN
开本：
大16开
出版地：
广州市连新路171号国际科技中心B108室
邮发代号：
创刊时间：
1995
语种：
chi
出版文献量（篇）
8962
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