nc-Si/c-Si异质结太阳电池优化设计分析

• 作者: 廖武刚 文西兴 曾祥斌 鲜映霞
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅薄膜 异质结太阳电池 AMPS 优化设计
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 页码范围: 1561-1567
• 页数: 7页
• 分类号: TM615
• 字数: 4959字
• 语种: 中文

摘要

分析影响p+(nc-Si)/i (a-Si)/n (c-Si)异质结太阳电池性能的主要因素,获得纳米硅薄膜杂质浓度、本征层厚度以及背场对电池性能的影响规律.结果表明,当纳米硅薄膜中掺杂浓度增大时,该层大部分区域电场强度变大,短路电流和开路电压增大,有利于提高电池转换效率.优化的掺杂浓度应大于1×1018cm-3.当i层厚度大于30 nm时,电池转换效率η和电池填充因子FF急剧下降,优化的最佳厚度为10 nm.研究加入非晶硅背场提高电池效率的新途径,当引入厚10 nm的a-Si∶H(n+)背面场后,电池转换效率由21.677％提高到24.163％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学光学与电子信息学院	45	285	10.0	14.0
2	鲜映霞	华中科技大学光学与电子信息学院	2	10	2.0	2.0
3	文西兴	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0
4	廖武刚	华中科技大学光学与电子信息学院	3	19	2.0	3.0