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摘要:
用高分子辅助沉积法在Si(001)基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5+δ(LBCO)薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si (001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出, LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1~2μm,小的晶粒尺寸为0.1~0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在 LBCO 薄膜的电阻(R)-温度(t)曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。
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文献信息
篇名 高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo2O5+δ薄膜的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 物理学
关键词 钙钛矿 薄膜 高分子辅助沉积法 X射线衍射 表面形貌 电输运性质
年,卷(期) 2014,(12) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 29-32
页数 4页 分类号 O484
字数 3666字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2014.12.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林媛 电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室 15 35 4.0 5.0
2 洪敦华 电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室 4 4 1.0 1.0
3 高敏 电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室 13 6 2.0 2.0
4 张胤 电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室 10 8 2.0 2.0
5 潘泰松 电子科技大学电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室 7 3 1.0 1.0
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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