具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构?

• 作者: 丁燕红 代红丽 刘继芝 姚素英 张卫华 石艳梅
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绝缘体上硅 槽栅 比导通电阻 击穿电压
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237305-1-237305-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.237305

摘要

为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压，同时降低器件比导通电阻，提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构。该结构具有如下特征：首先，采用了槽栅结构，使电流纵向传导面积加宽，降低了器件的比导通电阻；其次，在漂移区引入了SiO2槽型介质层，该介质层的高电场使器件的击穿电压显著提高；第三，在槽型介质层中引入了L型源极场板，该场板调制了漂移区电场，使优化漂移区掺杂浓度大幅增加，降低了器件的比导通电阻。二维数值仿真结果表明：与传统SOI结构相比，在相同器件尺寸时，新结构的击穿电压提高了151%，比导通电阻降低了20%；在相同击穿电压时，比导通电阻降低了80%。与相同器件尺寸的双槽SOI结构相比，新结构保持了双槽SOI结构的高击穿电压特性，同时，比导通电阻降低了26%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
2	张卫华	天津理工大学电子信息工程学院	19	73	4.0	8.0
3	刘继芝	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	30	4.0	5.0
4	丁燕红	天津理工大学电子信息工程学院	17	49	4.0	6.0
5	石艳梅	天津大学电子信息工程学院	9	10	2.0	3.0
7	代红丽	天津理工大学电子信息工程学院	7	7	1.0	2.0