具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

• 作者: 代红丽 李明吉 王洛欣 石艳梅 赵红东
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场板 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1146-1152
• 页数: 7页
• 分类号: TN335
• 字数: 3585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.019

摘要

为了降低绝缘体上硅(SOI)功率器件的比导通电阻,同时提高击穿电压,利用场板(FP)技术,提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.在双槽结构的基础上,在氧化槽中形成第二栅极,并延伸形成L型栅极场板.漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度,提高了击穿电压;对称的双栅结构形成双导电沟道,加宽了电流纵向传输面积,使比导通电阻显著降低;L型场板对漂移区电场进行重塑,使漂移区浓度大幅度增加,比导通电阻进一步降低.仿真结果表明:在保证最高优值条件下,相比传统SOI结构,器件尺寸相同时,新结构的击穿电压提高了123％,比导通电阻降低了32％;击穿电压相同时,新结构的比导通电阻降低了87.5％;相比双槽SOI结构,器件尺寸相同时,新结构不仅保持了双槽结构的高压特性,而且比导通电阻降低了46％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵红东	河北工业大学电子信息工程学院	88	427	10.0	17.0
2	石艳梅	天津理工大学电气电子工程学院	9	10	2.0	3.0
3	李明吉	天津理工大学电气电子工程学院	7	10	2.0	3.0
4	代红丽	河北工业大学电子信息工程学院	7	7	1.0	2.0
6	王洛欣	天津理工大学电气电子工程学院	5	2	1.0	1.0