SiO2薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究?

• 作者: 郝天亮 陈钢进
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 驻极体 SiO2 薄膜 微观结构 PECVD 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2014,（22）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 22091-22095
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 4183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.019

摘要

Si O 2驻极体具有优异的电荷储存能力，其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点，一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性，发现 PECVD方法制备的Si O 2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的Si O 2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明，其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成，颗粒间存在大量无序度较高的界面，由此产生的“界面陷阱”是导致 PECVD 制备的 SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈钢进	杭州电子科技大学驻极体及其应用实验室	21	80	4.0	8.0
2	郝天亮	浙江大学物理系	5	33	4.0	5.0