FINFET技术

• 作者: 朱范婷
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: FinFET Tri-gateDouble-gate Bulk FinFET SOI FinFET 低功耗 短沟效应
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TP335
• 字数: 1747字
• 语种: 中文

摘要

CMOS的发展紧随摩尔定律的步伐不断缩小特征尺寸的同时，不断增加的亚阈值电流和栅介质漏电流成为了阻碍工艺进一步发展的主要因素。于是减少漏电流，提高器件的稳定性成为CMOS向22nm以下节点发展的重要挑战。独特的FinFET器件结构在抑制短沟道效应方面有着绝对的优势。本文将介绍FinFET技术以及它如何减少功耗和提高器件的性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱范婷	上海交通大学微电子学院	1	4	1.0	1.0