基于单根酞菁铜纳米线的FET式H 2 S气体传感器

• 作者: 塔力哈尔·夏依木拉提 孟军霞 尚志勇 彭敏 李文亮 谢宁
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: H2 S OFET 微纳材料 气体绝缘层 气体传感器 纳米线 酞菁铜
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.005

摘要

结合FET和一维微纳材料的优势，构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现，在室温条件下，器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H 2 S具有良好的灵敏度和低检测极限（5×10–6）。相比于薄膜FET传感器，检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示：引起器件对H 2 S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭敏	新疆工程学院新能源材料重点实验室	17	28	3.0	4.0
2	孟军霞	新疆工程学院新能源材料重点实验室	6	30	2.0	5.0
3	谢宁	新疆工程学院新能源材料重点实验室	8	12	2.0	2.0
4	塔力哈尔·夏依木拉提	新疆工程学院新能源材料重点实验室	8	5	2.0	2.0
5	尚志勇	新疆工程学院新能源材料重点实验室	8	4	2.0	2.0
6	李文亮	新疆工程学院新能源材料重点实验室	6	11	2.0	3.0