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摘要:
研究了非对称In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征.通过测量样品的反弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的R.双峰间距随倾斜角度θ的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子.样品的Dingle plot图呈现非线性的特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应.
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篇名 非对称In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 物理学
关键词 二维电子气 InGaAs/InAlAs量子阱 零场自旋分裂能 g因子
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 688-693
页数 6页 分类号 O472+.6
字数 2380字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.010
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红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
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