In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂

• 作者: 俞国林 刘新智 张永刚 徐勇刚 林铁 褚君浩 郭少令
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAs/InAlAs量子阱 零场自旋分裂 塞曼分裂 有效g因子
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 134-138
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 3399字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00134

摘要

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能△0和有效g因子|g*|,发现A0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.