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摘要:
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
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功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs
最大振荡频率/功率增益截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应
二维电子气
正磁电阻
子带散射
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂
InGaAs/InAlAs量子阱
零场自旋分裂
塞曼分裂
有效g因子
有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs
高电子迁移率器件
栅长
栅槽
InP
InAlAs/InGaAs
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 截止频率 高电子迁移率晶体管 InGaAs/InAlAs InP
年,卷(期) 2007,(12) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1864-1867
页数 4页 分类号 TN325.3
字数 637字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐静波 中国科学院微电子研究所 15 55 4.0 6.0
2 张海英 中国科学院微电子研究所 114 574 11.0 17.0
3 尹军舰 中国科学院微电子研究所 31 99 6.0 7.0
4 刘亮 中国科学院微电子研究所 87 679 10.0 25.0
5 李潇 中国科学院微电子研究所 23 130 7.0 10.0
6 刘训春 中国科学院微电子研究所 43 222 9.0 11.0
7 牛洁斌 中国科学院微电子研究所 12 43 4.0 6.0
8 宋雨竹 中国科学院微电子研究所 2 10 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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