钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
无线电电子学与电信技术期刊
\
半导体学报(英文版)期刊
\
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
作者:
刘亮
刘训春
宋雨竹
尹军舰
张海英
徐静波
李潇
牛洁斌
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
摘要:
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs
最大振荡频率/功率增益截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应
二维电子气
正磁电阻
子带散射
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂
InGaAs/InAlAs量子阱
零场自旋分裂
塞曼分裂
有效g因子
有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs
高电子迁移率器件
栅长
栅槽
InP
InAlAs/InGaAs
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
年,卷(期)
2007,(12)
所属期刊栏目
研究快报
研究方向
页码范围
1864-1867
页数
4页
分类号
TN325.3
字数
637字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.003
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
徐静波
中国科学院微电子研究所
15
55
4.0
6.0
2
张海英
中国科学院微电子研究所
114
574
11.0
17.0
3
尹军舰
中国科学院微电子研究所
31
99
6.0
7.0
4
刘亮
中国科学院微电子研究所
87
679
10.0
25.0
5
李潇
中国科学院微电子研究所
23
130
7.0
10.0
6
刘训春
中国科学院微电子研究所
43
222
9.0
11.0
7
牛洁斌
中国科学院微电子研究所
12
43
4.0
6.0
8
宋雨竹
中国科学院微电子研究所
2
10
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(18)
共引文献
(7)
参考文献
(7)
节点文献
引证文献
(9)
同被引文献
(4)
二级引证文献
(7)
1970(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1981(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1987(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1989(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1994(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1995(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1998(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1999(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2000(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2001(4)
参考文献(2)
二级参考文献(2)
2002(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2003(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2004(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2005(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2007(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(3)
引证文献(3)
二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(3)
引证文献(0)
二级引证文献(3)
2016(3)
引证文献(2)
二级引证文献(1)
2017(4)
引证文献(2)
二级引证文献(2)
2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2019(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
截止频率
高电子迁移率晶体管
InGaAs/InAlAs
InP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
期刊文献
相关文献
1.
功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs
2.
In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应
3.
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂
4.
有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs
5.
两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律
6.
双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
7.
非对称In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子
8.
In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
9.
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
10.
截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT
11.
石墨烯晶体管研究进展
12.
fmax为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
13.
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
14.
InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As RTD的研制
15.
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管解析模型
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
半导体学报(英文版)2022
半导体学报(英文版)2021
半导体学报(英文版)2020
半导体学报(英文版)2019
半导体学报(英文版)2018
半导体学报(英文版)2017
半导体学报(英文版)2016
半导体学报(英文版)2015
半导体学报(英文版)2014
半导体学报(英文版)2013
半导体学报(英文版)2012
半导体学报(英文版)2011
半导体学报(英文版)2010
半导体学报(英文版)2009
半导体学报(英文版)2008
半导体学报(英文版)2007
半导体学报(英文版)2006
半导体学报(英文版)2005
半导体学报(英文版)2004
半导体学报(英文版)2003
半导体学报(英文版)2002
半导体学报(英文版)2001
半导体学报(英文版)2000
半导体学报(英文版)2007年第z1期
半导体学报(英文版)2007年第9期
半导体学报(英文版)2007年第8期
半导体学报(英文版)2007年第7期
半导体学报(英文版)2007年第6期
半导体学报(英文版)2007年第5期
半导体学报(英文版)2007年第4期
半导体学报(英文版)2007年第3期
半导体学报(英文版)2007年第2期
半导体学报(英文版)2007年第12期
半导体学报(英文版)2007年第11期
半导体学报(英文版)2007年第10期
半导体学报(英文版)2007年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号