双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

• 作者: 周文政 商丽燕 崔利杰 朱博 李东临 林铁 桂永胜 褚君浩 郭少令 高宏玲 黄志明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SdH振荡 二维电子气 FFT分析 自洽计算
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4143-4147
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.084

摘要

研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.