单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

• 作者: 林罡 章军云 陈堂胜
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 单片集成 增强型 阈值电压
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN705
• 字数: 1546字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.06.008

摘要

介绍了单片集成GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺.借助栅金属的热处理过程,形成了热稳定性良好的Pt/Ti/Pt/Au栅.AFM照片结果表明Pt金属膜表面非常平整,2nm厚度膜的粗糙度RMS仅为0.172nm.通过实验,我们还得出第一层Pt金属膜的厚度和退火后的下沉深度比大概为1:2.制作的增强型/耗尽型PHEMT的闽值电压(定义于1mA/mm)、最大跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率分别是+0.185/-1.22V、381.2/317.5mS/mm、275/480mA/mm、38/34GHz.增强型器件在4英寸圆片上的阈值电压标准差为19mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	林罡	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	15	107	5.0	10.0
3	章军云	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	4	4	1.0	2.0