单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

• 作者: 刘亮 叶甜春 尹军舰 张海英 徐静波 李潇 黎明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单片集成 增强型 耗尽型 赝配高电子迁移率晶体管 阈值电压
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1424-1427
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.019

摘要

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静波	中国科学院微电子研究所	15	55	4.0	6.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
4	刘亮	中国科学院微电子研究所	87	679	10.0	25.0
5	李潇	中国科学院微电子研究所	23	130	7.0	10.0
9	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
10	黎明	中国科学院微电子研究所	41	329	12.0	17.0