外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

• 作者: 刘阳 席晓文 杨银堂 柴常春 樊庆扬
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaAs赝高电子迁移率晶体管 电磁脉冲 外界条件 损伤过程
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 389-395
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.078401

摘要

结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	柴常春	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	80	592	15.0	19.0
3	刘阳	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	17	37	3.0	5.0
4	席晓文	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	3	35	2.0	3.0
5	樊庆扬	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室	2	5	2.0	2.0