有效跨导为1052 mS/mm的高性能InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs

• 作者: 刘新宇 张玉明 曹玉雄 王显泰 苏永波 金智 钟英辉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率器件 栅长 栅槽 InP InAlAs/InGaAs
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 193-197,288
• 页数: 6页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00193

摘要

成功研制了栅长为0.15 μm、栅宽为2×50 μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52 Al0.48 As/In0.53 Ga0.47 As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7VGS为0.1V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032 Ω·mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7 Ω· cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院	126	777	15.0	20.0
3	金智	中国科学院微电子研究所	30	92	5.0	8.0
4	钟英辉	西安电子科技大学微电子学院	1	5	1.0	1.0
5	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
6	苏永波	中国科学院微电子研究所	10	21	4.0	4.0
7	曹玉雄	中国科学院微电子研究所	2	10	2.0	2.0