两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

• 作者: 周文政 商丽燕 崔利杰 曾一平 李东临 林铁 褚君浩 郭少令 高宏玲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: In0.53Ga0.47As/In0.52Al0 48As量子阱 填充因子 磁输运
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3818-3822
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 2135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.085

摘要

研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E21=κ*ωc(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E21=(2κ+1*ω/2,填充因子出现奇数.