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第3代半导体氮化镓功率器件的发展现状和展望
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摘要：
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氮化镓的合成制备及前景分析
氮化镓
薄膜
纳米结构
制备
半导体功率器件直流特性的自动脉冲测量
大功率场效应晶体管
自加热效应
脉冲电压
自动测量
从专利视角浅议中国氮化镓技术的产学研融合
氮化镓
产学研融合
专利
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
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期刊影响力
新材料产业
主办单位：
北京新材料发展中心
出版周期：
双月刊
ISSN：
1008-892X
CN：
11-4396/TU
开本：
大16开
出版地：
北京市海淀区学院路30号方兴大厦5层
邮发代号：
2-623
创刊时间：
1999
语种：
chi
出版文献量（篇）
4865
总下载数（次）
7
总被引数（次）
16367
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