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摘要:
重掺单晶一些独有的特性,能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究,主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面,通过实验分析,选取了适宜的掺杂方式与拉速,最终生长出外形良好,符合电阻率目标要求的单晶。
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文献信息
篇名 大直径重掺硅单晶工艺研究
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 硅单晶 重掺磷 掺杂 拉速
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-3,30
页数 4页 分类号 TN304.055
字数 2077字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 韩焕鹏 中国电子科技集团公司第四十六研究所 28 43 4.0 5.0
2 莫宇 中国电子科技集团公司第四十六研究所 5 11 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
硅单晶
重掺磷
掺杂
拉速
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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10002
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