单晶硅磨削加工后的表面损伤研究

• 作者: 刘洋
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 磨削加工 表面损伤
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: IC制造工艺与设备
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2355字
• 语种: 中文

摘要

为了了解硅片在磨削过程中的去除机理,采用显微光谱仪来探查磨削后表面的相变情况.结果可以发现精磨削后硅片表面存在-Si相、Si-相、Si-相和Si-相,这表明磨削过程中Si-相发生了高压相变,Si-相在磨削过程中容易以塑性方式去除.而粗磨硅片表面没有生成明显的多晶硅,只有少量硅以非晶形式出现,并在后续精磨过程中逐渐转变.由此可以看出粗磨硅片表面层损伤由大量的形状复杂的微裂纹、高密度位错、层错及弹性畸变层组成,其中以微裂纹、位错及层错为主 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	42	50	4.0	5.0