高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究

• 作者: 吕旦 宋宏甲 李波 王金斌 贾良华 钟向丽
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 溶胶-凝胶 薄膜晶体管 BNT铁电薄膜 二氧化锡 高场效应迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 59-62
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3 O12 (BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管.晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流I.n=25 μA,场效应迁移率μsat=0.3 cm2·V-1·s-1.BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金斌	湘潭大学材料与光电物理学院	37	88	5.0	8.0
2	钟向丽	湘潭大学材料与光电物理学院	25	30	3.0	5.0
3	李波	湘潭大学材料与光电物理学院	11	2	1.0	1.0
4	宋宏甲	湘潭大学材料与光电物理学院	10	2	1.0	1.0
5	贾良华	湘潭大学材料与光电物理学院	1	0	0.0	0.0
6	吕旦	湘潭大学材料与光电物理学院	1	0	0.0	0.0