化学腐蚀条件下电气传感器用单晶硅的微观形貌演化

• 作者: 刘峥
• 来源期刊: 铸造技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 化学腐蚀 微观组织
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 材料开发
• 页码范围: 2427-2428
• 页数: 2页
• 分类号: TQ127
• 语种: 中文
• DOI: 10.16410/j.issn1000-8365.2015.10.009

摘要

以电气传感器用单晶硅为对象,研究其在TMAH溶液中的腐蚀现象,分析化学腐蚀条件下单晶硅的微观形貌演化.结果表明,在TMAH溶液中腐蚀后,单晶硅的倒金字塔结构中有刻蚀坑出现,且随着腐蚀时间的延长,倒金字塔结构的体积增大.单晶硅(111)晶面和(110)晶面的交界处出现的腐蚀畸变和硅原子密排结构的变化,是提高(111)面腐蚀速率的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘峥		12	32	3.0	5.0