塑封铜引线集成电路开封方法

• 作者: 梁倩 梁栋程 龚国虎
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜线 集成电路 开封 破坏性物理分析
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 1005-1008
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201506.1005

摘要

在集成电路高速发展的时代,内引线为铜的集成电路因为低廉的价格和性能方面的优势,将越来越多地被制造和改进,破坏性物理分析(DPA)中也将会遇到大量的塑封铜引线集成电路,这类器件开封容易引起铜引线、键合点的腐蚀等问题.对这类器件研究后的开封方法是:激光开封后一定比例的混酸腐蚀能使铜线和键合点完好保留,芯片表面无塑封料残留.本文提供了一种对塑封铜引线集成电路进行开封的可靠方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁倩	中国工程物理研究院计量测试中心	2	5	2.0	2.0
2	龚国虎	中国工程物理研究院计量测试中心	11	24	2.0	4.0
3	梁栋程	中国工程物理研究院计量测试中心	11	8	2.0	2.0