基于非等温能量平衡模型的GTR二次击穿特性研究

• 作者: 吴元庆 周涛 裴德礼 陆晓东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 二次击穿 发射区半宽度 浮空发射区 刻蚀 Silvaco
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 73-77
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 3921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.07.019

摘要

基于非等温能量平衡传输模型，利用Silvaco-TCAD全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对NPN型硅大功率晶体管(GTR)直流正偏二次击穿特性的影响。结果表明：当LE为130μm时，GTR直流正偏二次击穿临界点电压(VSB)最高。对于LE为150μm的GTR，当发射区边缘横向刻蚀距离为10μm时，对直流正偏二次击穿的改善效果最好。当浮空发射区与发射区边缘间距减小到17μm时，浮空发射区开始发挥改善直流正偏二次击穿特性的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周涛		59	88	4.0	6.0
2	陆晓东		76	99	4.0	6.0
3	吴元庆		48	41	3.0	4.0
4	裴德礼		1	1	1.0	1.0