沉积参数对WC-Co基体内孔HFCVD金刚石薄膜生长的影响

• 作者: 孙方宏 林子超 沈彬 王新昶
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: HFCVD金刚石薄膜 内孔表面 Taguchi方法 沉积参数 优化
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 791-802
• 页数: 12页
• 字数: 1507字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(15)63665-2

摘要

在内孔HFCVD金刚石薄膜沉积过程中，沉积温度(t)、碳源浓度(φ)、总反应压力(p)和气体总流量(F)等沉积参数对金刚石薄膜的生长具有显著影响。采用Taguchi方法系统研究这4个关键参数对内孔HFCVD金刚石薄膜性能的综合影响，并且通过自定义的品质因数(figure-of-merit, FOM)评价金刚石薄膜的综合性能。沉积温度、碳源浓度和总反应压力对于内孔HFCVD金刚石薄膜的各项性能及FOM均存在显著影响，并且与平片或外表面沉积存在一定的差异。根据上述影响性分析的结果，以获得最佳的内孔HFCVD金刚石薄膜综合性能为优化目标所确定的最优化沉积参数为：t=830°C，φ=4.5%，p=4000 Pa，F=800 mL/min。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙方宏	上海交通大学机械与动力工程学院	91	969	17.0	25.0
2	沈彬	上海交通大学机械与动力工程学院	69	959	17.0	27.0
3	王新昶	上海交通大学机械与动力工程学院	15	54	4.0	7.0
4	林子超	上海交通大学机械与动力工程学院	6	43	3.0	6.0