直拉单晶硅片“黑心”现象性质分析

• 作者: 凌继贝 周浪 陈文浩
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 黑心 位错环 漩涡缺陷
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 348-353
• 页数: 6页
• 分类号: TK514
• 字数: 4470字
• 语种: 中文

摘要

对一种黑心片样品进行了分析.在确认黑心区为低少子寿命区的基础上,发现其电阻率明显偏高;发现黑心区经Secco刻蚀后,表面密布重叠圆形蚀坑,但与普通位错蚀坑有明显特征性区别;从其密度、形状与出现条件来看,它与电子半导体业中普遍报告的氧化堆垛层错(OSF)也不一致;进一步发现黑心区经Sirtle刻蚀后,表面呈现典型的大小明显不同的两种漩涡缺陷蚀坑,其密度明显低于上述Secco蚀坑.根据所得结果推测:黑心区主要密布一种性质上与普通位错相近,而所造成晶格畸变特征与范围不同于普通位错的晶格缺陷,它不属于已知的OSF微缺陷,而可能是一种由结晶生长过程中过饱和氧沉淀诱发形成的位错环;此外,黑心区还含有少量漩涡缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周浪	南昌大学光伏研究院	110	1018	16.0	26.0
2	陈文浩	南昌大学光伏研究院	5	57	4.0	5.0
3	凌继贝		1	3	1.0	1.0