原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 铜 沉淀
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1753-1759
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.014

摘要

采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律.红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单晶硅中铜沉淀温度为800℃.同时,红外扫描仪和电子束诱生电流谱仪照片显示,快冷(30K/s)时,形成高密度的小铜沉淀团;而慢冷(O.3K/s)导致低密度、巨大的星形铜沉淀团的形成.实验还发现慢冷所形成的星形铜沉淀团对少数载流子具有更强的复合强度.最后,讨论了原生直拉单晶硅中铜沉淀规律的机理.