FA/O碱性清洗液对GLSI多层Cu布线粗糙度的优化

• 作者: 张燕 檀柏梅 邓海文 顾张冰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: CMP后清洗 FA/O碱性清洗液 FA/OⅡ型螯合剂 O-20活性剂 粗糙度 非均匀化腐蚀
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 91-94
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2936字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.023

摘要

采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数，做单因素实验，得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗前后粗糙度的变化，电化学测试仪测试各种清洗液对晶圆表面的腐蚀情况。通过对比实验得出当FA/O碱性清洗液中FA/O II螯合剂体积分数为0.015%，O-20活性剂体积分数为0.15%时，表面粗糙度值最小为1.39 nm，而且表面和界面均没有腐蚀。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	张燕	河北工业大学微电子研究所	55	238	8.0	13.0
3	邓海文	河北工业大学微电子研究所	5	7	2.0	2.0
4	顾张冰	河北工业大学微电子研究所	4	7	2.0	2.0