退火处理对Cu、CuNi薄膜及其热电偶电性能的影响

• 作者: 张波 杨丽红 陈皓帆
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜热电偶 磁控溅射 退火处理 灵敏度 电阻率 静态标定
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 15-18
• 页数: 4页
• 分类号: TP216
• 字数: 3297字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.005

摘要

采用磁控溅射法在单晶硅片基底上制备多个Cu薄膜和CuNi薄膜，对其进行退火处理，分析不同退火温度对薄膜电阻率的影响。结果显示，随着退火温度的升高，两种薄膜的电阻率逐渐减小，且Cu薄膜的电阻率变化较CuNi薄膜更为明显。在镀有SiO2绝缘膜的硅片基底上制备T型（Cu/CuNi）薄膜热电偶，并进行退火处理，对退火前后的热电偶进行静态标定。实验数据表明，T型薄膜热电偶经过退火处理后，灵敏度由退火前38.35μV/℃增大到44.10μV/℃。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨丽红	上海理工大学机械工程学院	61	267	9.0	14.0
2	张波	上海理工大学机械工程学院	11	8	2.0	2.0
3	陈皓帆	上海理工大学机械工程学院	5	29	2.0	5.0