Mg单原子替位掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质计算研究

• 作者: 宋庆功 徐霆耀 杨宝宝 郭艳蕊 陈逸飞
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: Mg掺杂β-Ga2O3 第一性原理 晶体结构 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2015,（18）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: O471
• 字数: 3311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.027

摘要

宽禁带半导体β-Ga2O3因其出色的物理化学性能而备受关注,通过掺杂改善β-Ga2O3性能一直是研究的热点.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,利用广义梯度近似加U对Mg单原子掺杂β-Ga2O3体系的晶体结构、电子结构和光学性质等进行了研究和分析.总能量和结合能的对比显示:单原子替位掺杂β-Ga2O3时,Mg优先替代八面体位的Ga原子形成Mg-Gao体系.电子结构显示,Mg-Gao体系变为间接半导体,带隙变窄为4.672eV;其自旋极化率为100％,呈现半金属特性.作为光学材料,Mg-Gao体系可在紫外、深紫外区域工作,并且折射率、反射率和吸收率有所降低,透射率明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋庆功	中国民航大学理学院低维材料与技术研究所	62	168	7.0	9.0
2	陈逸飞	中国民航大学理学院低维材料与技术研究所	12	19	3.0	3.0
3	杨宝宝	中国民航大学理学院低维材料与技术研究所	6	17	3.0	4.0
4	徐霆耀	中国民航大学理学院低维材料与技术研究所	3	11	2.0	3.0
5	郭艳蕊	中国民航大学理学院低维材料与技术研究所	20	33	4.0	4.0