一种改进的深亚微米MOSFET噪声模型

• 作者: 钭飒飒 高建军
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 小信号模型 参数提取 噪声模型
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.05.017

摘要

提出一种基于小信号的噪声模型,在精确提取0.13 μm MOSFET的小信号参数后,结合Pospieszalsik和pucel模型,运用噪声相关矩阵转换技术提取出所有噪声参数.利用ADS建立噪声模型,在2～20 GHz频率范围内,仿真结果与测量结果吻合良好,验证了模型的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学与技术学院	24	42	3.0	5.0
2	钭飒飒	华东师范大学信息科学与技术学院	1	1	1.0	1.0