MOSFET衬底电流模型在深亚微米尺寸下的修正

• 作者: 刘理天 孙自敏 李志坚
• 来源期刊: 半导体学报
• 关键词: MOSFET 衬底电流 深亚微米
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 151-155
• 页数: 5页
• 字数: 3024字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.02.009

摘要

建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行MOSFET电路设计所必需的.在分析载流子输运的基础上建立了一个常规结构深亚微米MOSFET衬底电流的解析模型，模型公式简单.对模型进行了验证，研究了衬底掺杂浓度与栅氧化层厚度对拟合因子的影响，并分析了模型中拟合因子的物理意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	李志坚	清华大学微电子所	84	451	11.0	15.0
3	孙自敏	清华大学微电子所	2	4	1.0	2.0