包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析

• 作者: Hao Yue Yang Lin'an Yu Chunli 于春利 杨林安 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 轻掺杂漏MOS场效应管 衬底电流 热载流子效应 深亚微米
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 778-783
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 897字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.007

摘要

采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解析模型计算简便,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析.