集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究

• 作者: 刘文闫 张宇 张铁强 王国光 王鹤林
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 胶体PbSe量子点 光致发光光谱 集成电路 温度检测
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1169-1172
• 页数: 4页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2212字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2015)05-1169-04

摘要

制备了3.6，5.1和6.0 nm三种尺寸的胶体PbSe量子点，并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下，实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移；大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础，提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面，使用激光器发射出平行激光束，使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光，通过红外光谱仪接收光致发光光谱，实现温度的检测；利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像，实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明，测量精度为±3℃，其相对误差不大于5％。