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摘要:
利用 TCAD 半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的 N 型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究,全面系统地分析了不同衬底电阻率和光强对电池短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。结果表明:IBC太阳电池的电学性能受到衬底电阻率和光强的显著影响。当光强较小(0.1 W/cm2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低,最优的衬底电阻率为0.5Ω·cm。当光强较高(0.5~5 W/cm2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率随之增大,最优的衬底电阻率为3Ω·cm。当光强进一步增大(10~50 W/cm2)时,随着衬底电阻率的增大,IBC太阳电池转换效率呈现出先增大后减小的变化特点,最优的衬底电阻率为2Ω·cm。
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结构
工作原理
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文献信息
篇名 聚光背结背接触太阳电池衬底电阻率和光强的优化研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 背接触 太阳电池 光强 衬底电阻率 串联电阻损耗 转换效率
年,卷(期) 2016,(7) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 27-31
页数 5页 分类号 TM914.4
字数 4406字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.07.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周涛 渤海大学新能源学院 59 88 4.0 6.0
2 陆晓东 渤海大学新能源学院 76 99 4.0 6.0
3 吴元庆 渤海大学新能源学院 48 41 3.0 4.0
4 李媛 渤海大学新能源学院 32 47 4.0 6.0
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研究主题发展历程
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光强
衬底电阻率
串联电阻损耗
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电子元件与材料
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51-1241/TN
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成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
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