氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势

• 作者: 史霄 杨师 熊朋 王铮 陈威
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: GaN晶片 化学机械抛光 抛光工艺
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 10-14
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 4490字
• 语种: 中文

摘要

综述了半导体材料氮化镓(GaN)抛光技术的发展,介绍了GaN晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈威	中国电子科技集团公司第四十五研究所	7	7	1.0	2.0
2	史霄	中国电子科技集团公司第四十五研究所	4	3	1.0	1.0
3	王铮	中国电子科技集团公司第四十五研究所	16	7	2.0	2.0
4	杨师	中国电子科技集团公司第四十五研究所	7	7	2.0	2.0
5	熊朋	中国电子科技集团公司第四十五研究所	4	1	1.0	1.0