砷化镓GaAs氮化镓GaN材料的发展趋势与市场应用

• 作者: 华强
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 砷化镓GaAs 氮化镓GaN
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3504字
• 语种: 中文

摘要

由于半导体材料硅Si在物理特性上的先天限制,仅能应用在1GHz以下的工作频率.砷化镓GaAs主要用于微波功率器件,即工作在微波波段(频率300-300 000MHz之间)的半导体器件.氮化镓材料由于禁带宽度达到3.4eV,成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一.本文介绍了国内外砷化镓GaAs、氮化镓GaN材料的发展趋势.