磁控溅射法中添加氢气对制备立方氮化硼厚膜的影响

• 作者: 李红东 殷红 赵艳
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼 射频磁控溅射 偏压 厚膜
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究和应用
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TQ164
• 字数: 3302字
• 语种: 中文

摘要

采用两步沉积法利用射频磁控溅射手段在 p 型硅片<100>面上生长立方氮化硼(c-BN)厚膜，在常规的氩气和氮气混合工作气体中加入了氢气，并研究了不同氢气流量比、衬底温度以及衬底偏压等工作参数对 c-BN 膜的立方相含量和沉积速率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及 X 射线衍射谱(XRD)对所制得的 c-BN 膜进行了表征和分析。实验结果表明，在衬底负偏压为-100V 和氢气流量为7.5 cm3/min 时，所制得的 c-BN 膜立方相含量高于90%，且稳定性最佳，厚度可达4微米以上，为 c-BN 膜在工业保护涂层等方面的应用奠定了良好基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李红东	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	36	3.0	6.0
2	赵艳	吉林大学超硬材料国家重点实验室	9	16	2.0	4.0
3	殷红	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	35	4.0	5.0