不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

• 作者: 刘云珍 龚丽
• 来源期刊: 湖南有色金属
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Ga掺杂 透明导电薄膜 生长温度 磁控溅射法
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 3138字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚丽	长沙理工大学物理与电子科学学院	11	12	2.0	2.0
2	刘云珍	长沙理工大学物理与电子科学学院	2	2	1.0	1.0