氧流量对a-IWO薄膜及其薄膜晶体管电学性能的影响

• 作者: 孟婷 张智翔 张群 杨建文 谢汉萍
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: a-IWO沟道层 薄膜晶体管 氧流量
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 766-771
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文

摘要

本文采用射频磁控溅射方法,制备了非晶掺钨氧化铟(a-IWO)薄膜及其薄膜晶体管(TFTs),并探讨了溅射过程中氧流量对a-IWO薄膜及其TFTs性能的影响.研究发现,随着沉积过程中氧流量的增加,a-IWO-TFTs器件的饱和迁移率降低,阈值电压正向偏移,说明溅射过程中氧流量的增加有效抑制了a-IWO沟道层中氧空位的产生,降低了载流子浓度.当溅射过程中氧气/氩气流量比为2∶28时,制备的TFT器件饱和迁移率为27.6 cm2·V-1·s-1,阈值电压为0.5V,电流开关比为108.