Co/Cu多层膜沉积过程中结构和形貌的变化

• 作者: 刘红亮 陈冷
• 来源期刊: 中国科学（技术科学）
• 关键词: 巨磁电阻薄膜 厚度 位错 择优取向
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 586-592
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N092015-00118

摘要

从原子结合能和位错生成能入手,分别计算了在Co基底上沉积Cu薄膜和在Cu基底上沉积Co薄膜时,薄膜结构随沉积厚度增加所发生的变化.结果表明,在{l00}纤维织构的Co基底上沉积Cu薄膜,当薄膜厚度达到3.33 nm时会在薄膜与基底界面产生错配位错,且随薄膜厚度增加,错配位错密度逐渐增大.在{100}纤维织构Cu基底上沉积Co薄膜,当薄膜厚度达到4.90 nm时,薄膜生长模式会由层状向岛状转变,薄膜为fcc结构.当厚度超过12.64nm后会出现hcp结构.计算结果与实验得出的结论基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈冷		52	225	9.0	12.0
2	刘红亮		2	0	0.0	0.0