体缺陷性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响

• 作者: 宋扬 张金晶 王泽来 赵洋 陆晓东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 晶硅电池 有限差分法 晶体缺陷 暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线 理想因子 总电流密度
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 39-44
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 4949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.10.009

摘要

采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响.研究表明:晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的性质发生明显变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
2	张金晶	渤海大学新能源学院	12	5	1.0	1.0
3	赵洋	渤海大学新能源学院	20	24	3.0	4.0
4	王泽来	渤海大学新能源学院	17	16	3.0	3.0
5	宋扬	渤海大学新能源学院	8	3	1.0	1.0