Si/GaAs晶圆片键合热应力及其影响因素分析

• 作者: 仇寻 孙利杰 施祥蕾 王典 郭祥虎
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Si/GaAs 键合 热应力 有限元法 影响因素
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 813-817,845
• 分类号: TN305.99
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.06.012

摘要

分别利用Suhir双金属带热应力分布理论和有限元法研究了Si/GaAs晶圆片键合界面在退火过程中的热应力分布,并将热应力分布理论计算结果与有限元分析结果进行了对比验证,得到了一致的结论.根据计算分析结果,对晶圆片进行了结构热变形分析,并研究了不同因素对键合热应力的影响,提出了减小键合热应力的有效措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王典	西安电子科技大学电子装备结构教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0
2	仇寻		2	5	2.0	2.0
3	郭祥虎	西安电子科技大学电子装备结构教育部重点实验室	2	5	2.0	2.0
4	孙利杰		4	8	2.0	2.0
5	施祥蕾		1	3	1.0	1.0