纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

• 作者: 吉文欣 肖明霞 许亚杰 韦海成
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: MgO晶体 二次电子发射系数 第一性原理 直接沉淀法
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 467-473
• 页数: 7页
• 分类号: TN136|TN873.94
• 字数: 3978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173206.0467

摘要

为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吉文欣	宁夏大学能源化工重点实验室	18	99	6.0	8.0
2	韦海成	北方民族大学电气信息工程学院	24	46	4.0	5.0
3	肖明霞	北方民族大学电气信息工程学院	23	41	4.0	5.0
4	许亚杰	北方民族大学电气信息工程学院	3	2	1.0	1.0