功率MOSFET寿命预测技术研究

• 作者: 康锡娥
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 寿命预测 敏感参数 退化模型
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 4-7,19
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2017.05.002

摘要

电子元器件是电子设备的基础,是不能再进行分割的基本单元,因此电子元器件的寿命在一定程度上决定了电子设备的使用寿命.功率MOSFET是所有元器件中使用最广泛的品种之一,数据统计表明,功率MOSFET是电子设备中失效率最高的元器件,整个寿命周期以性能退化失效为主.以MOSFET器件为例,模拟器件的使用环境、电压、电流,同时不断对试验过程中的器件进行测试,通过对测试数据进行分析,确定器件的敏感参数,建立以敏感参数为主的退化模型,从而估算元器件的寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康锡娥	中国电子科技集团公司第四十七研究所	7	15	2.0	3.0