键合SOI材料应力的控制技术

• 作者: 吴建 杜金生 王学毅 谭琦 陈俊
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅(SOI) 微电子机械系统(MEMS) 翘曲度 张应力 压应力
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 304-310
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.05.003

摘要

在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能.对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体残余应力的关系,并采用翘曲度值表征由残余应力引起的SOI形变的大小,弯曲度的正负表征SOI形变的方向.针对IC和MEMS产品在开发过程中因残余应力过大而引起的光刻无法吸片、牺牲层释放不干净等问题,通过工艺优化,制备出与残余应力方向相反、应力大小适中的SOI片,从而抵消了部分残余应力,翘曲度由200μm以上下降到100μm以内,有效解决了工艺异常问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊	中国电子科技集团公司第二十四研究所	11	27	4.0	5.0
3	王学毅	中国电子科技集团公司第二十四研究所	3	5	1.0	2.0
9	谭琦		1	1	1.0	1.0
10	杜金生		1	1	1.0	1.0
11	吴建	中国电子科技集团公司第二十四研究所	3	6	2.0	2.0